1、潔凈室中的溫濕度的控制
潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來(lái)確定，但在符合工藝要求的條件下，應(yīng)考慮到人的感受。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現(xiàn)了工藝對(duì)溫濕度的要求也越來(lái)越嚴(yán)的趨勢(shì)。
具體工藝對(duì)溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來(lái)越細(xì)，所以對(duì)溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來(lái)越小。
直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以要有±0.1度的恒溫，同時(shí)要求濕度值一般較低，因?yàn)槿顺龊挂院?，?duì)產(chǎn)品將有污染，怕鈉的半導(dǎo)體車(chē)間，這種車(chē)間不宜高于25度。
濕度過(guò)高的話，所產(chǎn)生的問(wèn)題也會(huì)有很多。相對(duì)濕度大于55%時(shí)，冷卻水管壁上會(huì)結(jié)露，如果發(fā)生在電路中，就會(huì)引起事故。相對(duì)濕度在50%時(shí)易生銹。此外，濕度太高時(shí)將通過(guò)空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學(xué)吸附在表面很難清理。
相對(duì)濕度越高，粘附就很難去掉，但當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時(shí)大量半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。對(duì)于硅片生產(chǎn)溫度范圍為35—45%。
2、潔凈室中的氣壓規(guī)定
對(duì)于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應(yīng)符合以下原則：
?。?）潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。
?。?）潔凈度級(jí)別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級(jí)別低的空間的壓力。
（3）相通潔凈室之間的門(mén)要開(kāi)向潔凈度級(jí)別高的房間。
壓力差的維持依靠新風(fēng)量，這個(gè)新風(fēng)量要能補(bǔ)償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風(fēng)量。所以壓力差的物理意義就是漏泄風(fēng)量通過(guò)潔凈室的縫隙時(shí)的阻力。
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